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半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管 (IEC 60747-8:2010)

IEC 60747-8:2010 半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

标准号:IEC 60747-8:2010

发布日期:2010-12-15

IEC60747-8:2010的本部分适用于分立器件中的绝缘栅双极晶体管(IGBT)。它规定了IGBT的术语和定义、符号、基本额定值和特性、测试方法以及接收和可靠性要求。

半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管 (IEC 60747-8:2010)

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