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半导体器件——栅极介电薄膜的时间相关介电击穿(TDDB)测试 (IEC 62374:2007)

IEC 62374:2007 半导体器件——栅极介电薄膜的时间相关介电击穿(TDDB)测试

Semiconductor devices - Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films

标准号:IEC 62374:2007

发布日期:2007-03-29

IEC62374:2007标准适用于评估半导体器件在电离辐射环境下的耐久性和可靠性,主要针对用于航空航天、核能及其他高辐射应用领域的电子元件。该标准规定了辐射测试方法、性能评估准则以及相关数据报告要求,旨在确保器件在辐射条件下的长期稳定运行。

半导体器件——栅极介电薄膜的时间相关介电击穿(TDDB)测试 (IEC 62374:2007)

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